之后的几天，许秋又做了两批器件，一批是重复pen基片的，另一批是在同样实验条件下玻璃基片的。

h体系中，pen基片的最高效率提高了一点点，达到了8.20。

而玻璃基片下的标准样品，最高效率可达10.26。

这个数值，相比于他之前在模拟实验室中得到的10.68，稍差一些，可能是器件结构不同造成的。

t:pss传输层的正常结构，而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构。

此外，虽然重点在于体系。

主要是为了让文章数据更加丰满一些，同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性。

再之后，许秋完成了各种表征测试，包括光吸收光谱、荧光光谱、celiv测试等，还拍了一张用两只镊子弯曲pen基片器件的照片。

在实验进行的间隙，许秋也在同步以论文的形式，写项目的结题报告。

这个时候，他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了，再加上他还可以随时向学姐请教。

因此中文论文写起来压力并不大。

正文部分，许秋先将四组器件编号，体系，分别为1#、3#，玻璃基片对应的体系分别为2#、4#。

然后，主要就是比较玻璃和pen这两种基片的不同，对器件性能的影响，并分析其可能的原因。

像是光学性能，光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的，数据对两种基片的器件都是一样的。

所以不需要比较，直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。

比如：1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米，最高吸收峰位置在680纳米处，3#、4#的主要光吸收范围在300-600纳米，最高吸收峰位置在530纳米处。

荧光光谱则相对复杂一些，两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱，然后计算荧光淬灭效率。

不过，同样是看图说话，也没什么难度。

而像是celiv，则是对电池器件进行表征，那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同，就需要进行比较分析。

许秋的测试结果：

1#的载流子迁移率是1.2e-4厘米平方每伏秒，2#是2.5e-4厘米平方每伏秒，显然2#更高一些，但两者在同一数量级。

因为2#对应的电池器件性能更好，就可以解释为，载流子迁移率的提高导致了器件性能的提高。

进一步，还可以继续分析下去，比如迁移率的提高会减小电荷复合情况，增大短路电流密度等等。

但如果反过来，假如他的测试结果为：

2#是1.2e-4厘米平方每伏秒，1#是2.5e-4厘米平方每伏秒。

那么就可以一笔带过，说两者载流子迁移率相差不大，在同一个数量级，或者说载流子迁移率对器件光电性能的影响不大。

许秋最开始阅读文献的时候，就时常疑惑，对于同样的一个实验现象，为什么有的人说是xx原因，有的人说是yy原因，还有人说是xxyy原因，难道学术界里就没有一种统一的观点吗？

后来，随着文献阅读量的提升，他逐渐明白了其中的道理。

材料，或者说所有的实验学科，所有对实验结果的解释其实都是猜想，理论永远是落后于实验的。

不可能凭空创造一个完美的理论模型，如果那样的话，直接开几台超算，算出最优结果就行了。

真实情况是，研究者们需要通过不断的实验，得到大量的实验数据，然后通过这些实验数据，来建立起一套理论体系。

但即使这样建立的体系，可能还是存在很多问题，需要不断的给理论打补丁。

同时，其中还会有很多现象难以解释，这个时候，行业大佬们就会提出很多种观点。

而其他研究者们在发表论文时，也会对这些现象进行讨论，提出自己的观点。

这个过程就类似于辩论。

最终，学术界可能只剩下一种统一的观点，也可能会有多种观点并存，抑或者在将来又有新理论将之前的理论完全推翻。

…………

一周过去，许秋完成了项目结题报告。

同时，他也收到了系统提示。

权限等级：3

积分：6978

进行中的任务：3个

熟练度：

制备手段：

清洗基片（四阶40/四阶50）

溶液配制（四阶40/四阶50）

旋涂（四阶40/四阶50）

蒸镀（四阶35/四阶50）

表征手段：

光电性能（四阶40/四阶80）

光学性能（四阶5/四阶80）

电荷输运性能（三阶30/四阶20）

……

文献阅读（二阶62/四阶50)

周常任务i

周常任务iii

进阶任务

##

最近攒下很多积分，不过许秋暂时不打算使用，先当个仓鼠比较好。

一方面，现在没有用模拟实验室的必要，虽然开启了加速功能，但2倍速还是不够看。

另一方面，大多数的操作的熟练度已经达到四阶以上，失误率已降到很低，熟练度慢慢随着时间积累就可以。

他现在实验方面还没有遇上大的瓶颈，也没有必要使用五阶推演去寻求灵感。

不知不觉，系统已经陪伴许秋近两个月的时间，系统也确实如同其名字一般，是辅助科研的用途，不能凭空变出远超人类当前文明的黑科技，也不能让他变成超人。

许秋能有目前的